霍尔效应测量系统
L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。
基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(最高温度可达700°C)可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。
基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.
系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示

特点
• 载流子浓度
• 电阻率
• 迁移率
• 电导率
• α (水平电阻值/垂直电阻值)
• 霍尔常数
• 磁致电阻


霍尔效应测量系统
L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征,包括:迁移率,电阻率,载流子浓度和霍尔常数。
基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温(液氮)附件结合高温炉(最高温度可达700°C)可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。
基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V 和 I-R 数据图.
系统可测试多种材料包括Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N 型或P型均可测量), 金属膜, 氧化物等. 样品测试时便可完成系统功能演示

特点
• 载流子浓度
• 电阻率
• 迁移率
• 电导率
• α (水平电阻值/垂直电阻值)
• 霍尔常数
• 磁致电阻
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