林赛斯 HCS 专为半导体材料的表征而设计。它能够精确测定霍尔常数、电阻率，并进一步计算载流子浓度和霍尔迁移率。台式版本提供多种配置，可根据样品的几何形状和温度需求灵活选择不同的样品支架。系统提供可选的低温扩展模块，支持液氮环境下的测量，同时高温版本可扩展至 800 °C ，全面覆盖各类应用场景。
内置的永磁体和电磁体可提供高达近 1 特斯拉的固定或可变磁场，确保测量的高精度。配套的基于 Windows© 的综合软件支持便捷记录 I-V 和 I-R 曲线，并高效评估霍尔迁移率、电导率和载流子浓度。
林赛斯 HCS 系统适用于多种材料的测量，包括 Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN（N 型和 P 型）以及金属层、金属氧化物等。
| 类型 | HCS 1 (HCS L36 Basic) |
| 温度范围： | 多种版本：从液氮（LN2）至 600 °C -160 °C（可控冷却） -196 °C（冷却） |
| 磁体： | 两个永磁体，磁场强度为 ±0.7 T 磁体直径：120 mm 最大均匀性：±1%（在 50 mm 范围内） |
| 电源： | 直流电源：1 nA 至 125 mA（8 个量级 / 兼容 ±12 V） |
| 电压测量： | 直流低噪声/低偏差：1 µV 至 2500 mV 4 个量级增益 数字分辨率：300 pV |
| 传感器 / 样品尺寸： | 5 × 5 mm2 至 12.5 × 12.5 mm2 ，最大样品高度 3 mm 17.5 × 17.5 mm2 至 25 × 25 mm2 ，最大样品高度 5 mm 42.5 × 42.5 mm2 至 50 × 50 mm2 ，最大样品高度 5 mm 高温板：10 × 10 mm2 ，最大样品高度 2 mm |
| 电阻范围： | 10-4 至 107 Ωcm |
| 载流子浓度： | 107 至 1021 cm-3 |
| 迁移率范围： | 0.1 至 107 cm2V-1s-1 |
| 气氛： | 真空、惰性、氧化性、还原性 |
| 温度精度： | 0.05 °C |
| 类型 | HCS 10 (HCS L36 Advanced) |
| 温度范围： | 多种版本：从液氮（LN2）至 600 °C -160 °C（可控冷却） -196 °C（冷却） |
| 磁体： | 电磁体：可变直流磁场，最高 ±1 T，磁极直径 76 mm，电源 75 A / 40 V 电流反向开关：支持双极性测量 可选交流选项：交变磁场，可用磁场强度约 1 T，频率最高 0.1 Hz |
| 电源： | 直流电源：1 nA 至 125 mA（8 个量级 / 兼容 ±12 V） 交流电源：16 µA 至 20 mA，输入阻抗：> 100 GΩ，频率范围 1 mHz 至 100 kHz |
| 电压测量： | 直流低噪声/低偏差：1 µV 至 2500 mV，4 个量程增益，数字分辨率：300 pV 交流：20 nV 至 1 V，可调积分时间和增益 |
| 传感器 / 样品尺寸： | 5 × 5 mm2 至 12.5 × 12.5 mm2 ，最大样品高度 3 mm 17.5 × 17.5 mm2 至 25 × 25 mm2 ，最大样品高度 5 mm 42.5 × 42.5 mm2 至 50 × 50 mm2 ，最大样品高度 5 mm 高温板：10 × 10 mm2 ，最大样品高度 2 mm |
| 电阻范围： | 10-4 至 107 Ωcm |
| 载流子浓度： | 107 至 1021 cm-3 |
| 迁移率范围： | 10-3 至 107 cm2V-1s-1 |
| 气氛： | 真空、惰性、氧化性、还原性 |
| 温度精度： | 0.05 °C |
| 类型 | HCS 100 (HCS L36 Ultimate) |
| 温度范围： | 室温至 500 °C |
| 磁体： | 磁场强度：最高 0.5 T（交流或直流磁场） 多段 Halbach 配置，内径：40 mm，高度：98 mm |
| 电源： | 直流电源：1 nA 至 125 mA（8 个量级 / 兼容 ± 12 V） 交流电源：16 µA 至 20 mA，输入阻抗：> 100 GΩ，频率范围 1 mHz 至 100 kHz |
| 电压测量： | 直流低噪声 / 低偏差：1 µV 至 2500 mV，4 个量级增益，数字分辨率：300 pV 交流：20 nV 至 1 V，可调积分时间和增益 |
| 传感器 / 样品尺寸： | 最大 10 × 10 mm2，最大样品高度 2.5 mm |
| 电阻范围： | 10-5 至 107 Ωcm |
| 载流子浓度： | 107 至 1022 cm-3 |
| 迁移率范围： | 1 至 107 cm2V-1s-1 |
| 气氛： | 真空、惰性、氧化性、还原性 |
| 温度精度： | 0.05 °C |
锑（Sb）是一种半金属，广泛应用于热电领域（以合金形式存在，例如 Bi₁₋ₓSbₓ），并在微电子领域作为新兴应用材料。然而，金属锑最主要的应用是铅酸电池中的铅锑板。下图展示了使用林赛斯 HCS 1 (HCS L36 Basic)（室温至 200 °C 选项）对通过溅射沉积在 SiO₂/Si 基底上制备的薄膜进行的全面表征。
