林赛斯 HCS 专为半导体材料的表征而设计。它能够精确测定霍尔常数、电阻率，并进一步计算载流子浓度和霍尔迁移率。台式版本提供多种配置，可根据样品的几何形状和温度需求灵活选择不同的样品支架。系统提供可选的低温扩展模块，支持液氮环境下的测量，同时高温版本可扩展至 600 °C ，广泛覆盖各类应用场景。
内置的永磁体和电磁体可提供高达近 1 特斯拉的固定或可变磁场，确保测量的高精度。配套的基于 Windows© 的综合软件支持便捷记录 I-V 和 I-R 曲线，并高效评估霍尔迁移率、电导率和载流子浓度。
林赛斯 HCS 系统适用于多种材料的测量，包括 Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN（N 型和 P 型）以及金属层、金属氧化物等。
| 类型 | HCS L36 Basic |
| 温度范围： | 从液氮（LN2）至 600 °C（提供多种机型版本） -160 °C（程序控温冷却） -196 °C（淬火冷却） |
| 磁体： | 永磁体直流磁场最高可达 0.70 T，磁极直径 120 mm， 双磁体结构，适用于双极性测量。 |
| 电源： | 直流 1 nA 至 125 mA（8 个数量级量程 /输出钳位电压 ±12 V） |
| 电压测量： | 直流低噪声 / 低漂移 1 µV 至 2500 mV 4 个数量级放大 数字分辨率：300 pV |
| 传感器/样品尺寸： | 塞贝克传感器、光照传感器、门控霍尔条 5 × 5 mm 至 12.5 × 12.5 mm ，最大样品高度 3 mm 17.5 × 17.5 mm 至 25 × 25 mm ，最大样品高度 5 mm 42.5 × 42.5 mm 至 50 × 50 mm ，最大样品高度 5 mm 高温测试基板：10 × 10 mm ，最大样品高度 3 mm |
| 电阻范围： | 10-4 至 107 Ωcm |
| 载流子浓度： | 107 至 1021 cm-3 |
| 迁移率范围： | 0.1 至 107 cm2V-1s-1 |
| 气氛： | 真空、惰性、氧化性、还原性 |
| 温度精度： | 0.001 °C |
| 类型 | HCS L36 Advanced |
| 温度范围： | RT 至 600 °C |
| 磁体： | 磁场最高可达 0.5 T（交流或直流磁场） 多段式海尔贝克阵列结构 内径：40 mm 高度：98 mm |
| 电源： | 直流 1 nA 至 125 mA（8 个数量级量程 /输出钳位电压 ±12 V） |
| 电压测量： | 直流低噪声/低偏差：1 µV 至 2500 mV，4 个量程增益，数字分辨率：300 pV 交流：20 nV 至 1 V，可调积分时间和增益 |
| 传感器/样品尺寸： | 最大尺寸 12.5 × 12.5 mm 样品最大高度 2.0 mm |
| 电阻范围： | 10-5 至 107 Ωcm |
| 载流子浓度： | 107 至 1022 cm-3 |
| 迁移率范围： | 1 至 107 cm2V-1s-1 |
| 气氛： | 真空、惰性、氧化性、还原性 |
| 温度精度： | 0.001 °C |
| 类型 | HCS L36 Ultimate |
| 温度范围： | 从液氮（LN2）至 600 °C（提供多种机型版本） -160 °C（程序控温冷却） -196 °C（淬火冷却） |
| 磁体： | 磁极直径 76 mm，交流供电电源，可支持最高 0.1 Hz、±40 A 条件下的测量。 |
| 电源： | 直流 1 nA 至 125 mA（8 个数量级量程 /输出钳位电压 ±12 V） |
| 电压测量： | 直流低噪声、低漂移，1 μV 至 2500 mV，4 个数量级放大倍数，数字分辨率：300 pV 交流 20 nV 至 1 V，特性：吉欧级输入阻抗、可设置积分时间与放大倍率 |
| 传感器/样品尺寸： | 塞贝克传感器、光照传感器、门控霍尔条 5 × 5 mm 至 12.5 × 12.5 mm ，最大样品高度 3 mm 17.5 × 17.5 mm 至 25 × 25 mm ，最大样品高度 5 mm 42.5 × 42.5 mm 至 50 × 50 mm ，最大样品高度 5 mm 高温测试基板：10 × 10 mm ，最大样品高度 3 mm |
| 电阻范围： | 10-4 至 107 Ωcm |
| 载流子浓度： | 107 至 1021 cm-3 |
| 迁移率范围： | 10-3 至 107 cm2V-1s-1 |
| 气氛： | 真空、惰性、氧化性、还原性 |
| 温度精度： | 0.001 °C |
锑（Sb）是一种半金属，广泛应用于热电领域（以合金形式存在，例如 Bi₁₋ₓSbₓ），并在微电子领域作为新兴应用材料。然而，金属锑最主要的应用是铅酸电池中的铅锑板。下图展示了使用林赛斯 HCS L36 Basic（室温至 200 °C 选项）对通过溅射沉积在 SiO₂/Si 基底上制备的薄膜进行的全面表征。
