芯片由加热器和温度传感器组成，具有很高的再现性，由于质量小，具有出色的温度控制和高达 300 K/min 的加热速率。
集成传感器易于更换，性价比高。芯片传感器的集成设计可提供较好的原始数据，无需对热流数据进行预处理或后处理即可直接进行分析。
低能耗和良好的动态响应功能，使得 Chip-DSC 具有优异的性能。
| 型号 | Chip-DSC 1 (Chip-DSC L66 Basic) * |
| 温度范围： | -180 - 600 °C（无冷却装置） |
| 加热 / 冷却速率： | 0.001 - 300 K/min |
| 温度精度： | ± 0.2 K |
| 重复性： | ± 0.02 K |
| 数字分辨率： | 1680 万像素 |
| 分辨率： | 0.03 µW |
| 气氛： | 惰性、氧化（静态、动态） |
| 测量范围： | ±2.5 - ±1000 mW |
| 校准材料： | 包含 |
| 校准周期： | 建议每隔 6 个月校准一次 |
| * 规格取决于配置 |
淬火冷却附件提供一个围绕传感器和样品的开放式冷却容器，根据冷却剂的不同，样品温度可降至 -180 °C 。
林赛斯 Chip-DSC 可在无需主动式冷却器的条件下，提供快速的弹道式冷却速率。由于低热质量和创新的传感器设计，从 400 ℃ 起可实现高达 500 K/min 的冷却速率。随着高达90 K/min 的冷却速率，可以冷却到 100 °C 。
通过弹道冷却，只需 4 分钟即可从 400 °C 冷却到 30 °C 。在冷却过程中仍然可以对信号进行评估，既不失去灵敏度，也不失去准确性。
含能材料被用于安全气囊的推进剂，以便在发生事故时爆破材料。
其他类型的 DSC ，都存在传感器甚至炉体损坏的风险，而芯片式 DSC ，操作人员可在较短时间内以低成本轻松更换芯片（集成传感器及加热炉）。在很大程度上减少了仪器损坏时所需要的停机时间，几秒钟即可更换传感器，半小时即可完成校准。图例为 2.8 mg 安全气囊点火器的 DSC 曲线图。
加热速率可达 1000 K/min ，同时仍能保持良好的熔化焓重现性。如图示例，以不同的加热速率（5 K/min；50 K/min；100 K/min；200 K/min；300 K/min 和 500 K/min）测量铟的熔点。一个完整的测量过程（包括加热和冷却），在 10 分钟内就可以完成，无需其他冷却装置。
传统的 DSC 设备在测量过程中无法观察样品，而实时观察样品可以提供很多有用的信息（气泡或蒸汽的形成、颜色变化等）。
如图显示了热致变色材料在 160 °C 时发生吸热相变，这个相态具有不同的颜色，透过透明盖子可以看到从红色到黄色的颜色变化（可选记录图像的照相机功能）。
如图显示的是蓝宝石比热容的调制测量，加热速率为 10 K/min ，振幅为 3 K 。由于温度变化迅速，样品比热容导致振幅变化，因此可以获得良好的信号质量，从而可以评估比热容，误差仅为 3.5% ，这一结果明显优于大多数 DSC 设备。
